Микросхемы становятся еще более гибкими

NanoNewsNet уже писал об успехах ученых в области создания гибких микросхем. Но прогресс не стоит на месте, и ученые продолжают предпринимать попытки уменьшить доступный радиус сгиба таких микросхем. Международному коллективу авторов удалось получить микросхему, подвижность носителей заряда в которой достигает 0.5 см²/(В с), напряжение источника питания составляет всего 3 В, а минимальный радиус сгиба составил 100 мкм.

В качестве гибкой подложки используется полиимидная подложка толщиной 12.5 мкм (чем тоньше подложка – тем меньший радиус сгиба может быть теоретически достигнут), однако поверхность такой подложки слишком шершавая, что требует нанесения дополнительного выравнивающего слоя полиимида методом spin-coating толщиной 500 нм. Затем на выровненной подложке были собраны транзисторы (рис.1).

Рис. 1. Схема экспериментального образца

Каждый транзистор состоит из алюминиевого электрода затвора толщиной 20 нм, изолирующего слоя затвора толщиной 6 нм (композит оксида алюминия AlOx и органического самособирающегося слоя), полупроводникового слоя толщиной 30 нм (пентацен для p-канала и F16CuPc для канал ... Читать дальше »