Кафедра
Инженерных дисциплин
 
Краснодонский факультет инженерии и менеджмента
Восточноукраинского национального университета
имени Владимира Даля
Вс, 11.04.2021, 02:17
Приветствую Вас Гость | RSS
Меню сайта

Форма входа

Категории раздела
Новости Факультета!!! [141]
Новости нашего региона [484]
Новости науки и техники [1133]
IT- новости [877]
Авто-новости [98]
Сообщения об интересных событиях [414]
Зарубежные новости [203]
Новости материаловедения [74]
Водород [28]
Сведения о влиянии водорода. Водородная энергетика.
Здоровье [126]
Новости образования [48]
Новости университета [43]
Новости Украины [70]
Разное [319]
Триботехника [1]
Компьютерные игры [43]
Программирование [9]
Подготовка к поступлению [162]

Поиск

Главная » 2010 » Ноябрь » 11 » Микросхемы становятся еще более гибкими
06:13
Микросхемы становятся еще более гибкими

Микросхемы становятся еще более гибкими


NanoNewsNet уже писал об успехах ученых в области создания гибких микросхем. Но прогресс не стоит на месте, и ученые продолжают предпринимать попытки уменьшить доступный радиус сгиба таких микросхем. Международному коллективу авторов удалось получить микросхему, подвижность носителей заряда в которой достигает 0.5 см2/(В с), напряжение источника питания составляет всего 3 В, а минимальный радиус сгиба составил 100 мкм.

В качестве гибкой подложки используется полиимидная подложка толщиной 12.5 мкм (чем тоньше подложка – тем меньший радиус сгиба может быть теоретически достигнут), однако поверхность такой подложки слишком шершавая, что требует нанесения дополнительного выравнивающего слоя полиимида методом spin-coating толщиной 500 нм. Затем на выровненной подложке были собраны транзисторы (рис.1).

image-501.jpg Рис. 1. Схема экспериментального образца

Каждый транзистор состоит из алюминиевого электрода затвора толщиной 20 нм, изолирующего слоя затвора толщиной 6 нм (композит оксида алюминия AlOx и органического самособирающегося слоя), полупроводникового слоя толщиной 30 нм (пентацен для p-канала и F16CuPc для канала n-типа) и золотых контактов сток-исток толщиной 50 нм (суммарная толщина транзистора 106 нм). Затвор, полупроводниковый слой и контакты сток-исток были сформированы с использованием маски, что позволяет избежать применения высоких температур в процессе создания микросхем. В довершение всего процесса исследователи инкапсулировали транзисторы слоем полимера (300 нм и 12.5 мкм), разделенным слоем золота (200 нм), что помогает защитить микросхему от воздействия внешней атмосферы. Кроме этого, инкапсуляция привела к тому, что транзистор оказался заключенным между двумя слоями одинаковой толщины, тем самым уравновешивая действующие на него силы сжатия и растяжения.

На рисунке 2 представлены результаты электрических измерений полученной микросхемы. Авторы отмечают, что электрические характеристики остаются неизменными спустя 6 месяцев.

image-502.jpg Рис. 2. a) Ток утечки конденсатора Al/AlOx/SAM/Au на различных подложках. b) Зависимость тока стока от напряжения сток-исток для p-канального транзистора (напряжение на переходе затвор-исток изменяется с шагом 0.5 В). с) Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток для p-канального транзистора. d) Зависимость тока стока от напряжения сток-исток для n-канального транзистора (напряжение на переходе затвор-исток изменяется с шагом 0.5 В). e) Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток для n-канального транзистора.

Во многих случаях важно чтобы микросхема не просто сохраняла свои свойства после сгиба, но также сохраняла их и в процессе сгиба, чего и удалось достигнуть авторам статьи вплоть до радиуса 100 мкм – что является наименьшей величиной, которую удавалось получить к настоящему времени (рис.3).

image-503.jpg Рис. 3. Слева изображена зависимость нормированного тока стока от радиуса сжатия. Справа изображена зависимость тока затвора от от радиуса сжатия.

Авторы статьи не сомневаются, что их детище найдет широкое применение при разработке гибкой электроники. Бесспорным преимуществом разработанных ими микросхемы является низкое входное напряжение, что позволит миниатюризировать размеры разрабатываемых устройств.

По материалам:


Источник(и):

1. nanometer.ru

Категория: Новости науки и техники | Просмотров: 323 | Добавил: Professor | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Мы - Далевцы!

Календарь
«  Ноябрь 2010  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
2930

Архив записей

Наши партнёры
  • Кафедра гуманитарных и социально-экономических дисциплин
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz

  • Статистика

    Онлайн всего: 1
    Гостей: 1
    Пользователей: 0

    Copyright MyCorp © 2021     Created by Alex Kalinin