Российские учёные создали новый метод получения нанопористого оксида алюминия

Научный коллектив Московского государственного института электронной техники разработал метод получения нанопористого оксида алюминия, который позволяет создавать целый ряд современнейших материалов для полупроводниковых приборов, в частности фотонные кристаллы. В настоящее время полупроводниковые приборы микроэлектроники создаются главным образом методом оптической литографии – универсальным способом получения изображения элементом микросхемы на кристалле полупроводника.

Однако литографические методы довольно дороги, развитие их сдерживается рядом физических и технологических ограничений. Поэтому в настоящее время активно развиваются методы, основанные на использовании самоорганизации и самоформирования.

Один из таких методов – нанопрофилирование (создание рельефа поверхности с наноразмерными элементами) полупроводников путём их плазменного травления с использованием твёрдой маски пористого анодного оксида алюминия. Наглядно этот увлекательный научный процесс можно представить следующим образом: рисунок с полимерного светочувствительного материала переносится на соответствующие слои полупроводниковой структуры, по ходу удаляются немаскированные участки полимера (собственно, этот метод и называется травлением). Для оптимизации этого процесса в структуру маски из оксида алюминия вводят металлический подслой, в ... Читать дальше »

Предложен способ создания кремниевых нанопроводов различных политипов, а также их возможное применение

Просвечивающий электронный микроскоп выявил присутствие различных политипов кремния.

Исследователи из США в своей работе показали, что различные типы кремниевых кристаллических структур (политипы) могут быть получены при помощи методики, базирующейся на использовании катализирующих металлических наночастиц, при вариации внешних условий. Созданные подобным образом кремниевые наноструктуры обладают индивидуальными электронными свойствами, что позволит им в будущем найти применение в таких сферах, как создание солнечных батарей и других фотонных устройств. Работа также может пополнить познания ученых в области образования поликристаллов, что позволит оптимизировать синтез.

Потенциал методики выращивания полупроводниковых нанопроводов на основе катализирующих металлических наночастиц известен относительно давно. Но лишь в последние несколько лет ученые сосредоточили свое внимание на возможности создания новых кристаллических материалов и политипов (кристаллов с идентичной химической формулой, но различным строением и, соответственно, электронной структурой) с помощью этой методики.

Основываясь на упомянутом принципе выращивания полупроводников, научная группа из Northwestern University (США) показала, что

методика позволяет создать кремниевые нанопровода различных политипов (кристаллической и электро ... Читать дальше »