Компания Samsung планирует в 2013-2014 году начать производство объемной "кубической" памяти

Компания Samsung Electronics, один из крупнейших мировых производителей динамической оперативной памяти (dynamic random access memory, DRAM), объявила о своих планах касательно развития направления многослойной кубической памяти (multi-layer hyper memory cube, HMC). Согласно этим планам к концу 2012 года должен быть выработан единый отраслевой стандарт, а массовое производство памяти HMC должно начаться в 2013–2014 году.

Память HMC разрабатывается для того, что бы прорваться сквозь узкое место современных вычислительных систем, называемое «барьером памяти /memory wall», которое в настоящее тормозит развитие многоядерных, многозадачных микропроцессорных систем.

Рис. 1.

«Барьер памяти» представляет собой противоречие, вызванное разницей между скоростями работы центрального процессора и системой памяти, расположенной за пределами чипа. Основную роль в возникновении этого противоречия играет ограниченная пропускная способность внешних шин данных, по которым осуществляется передача информации в и из памяти. За период с 1986 по 2000 год скорости центральных процессоров увеличились в среднем на 55%, а скорость работы памяти з ... Читать дальше »