Наночастицы как основа для создания флэш-памяти нового типа
Опубликовано ssu-filippov в 8 октября, 2010 - 02:18 
Новый вид энергоемких материалов, идеально
подходящих для использования в флэш-памяти, был обнаружен
исследователями из Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли и
Калифорнийского университета в Беркли. Эти материалы могут быть
использованы для создания нового типа памяти на основе фазовых переходов
с произвольным доступом (phase change random access memory, PCM), и,
возможно, для создания новых устройств оптического хранения данных.
Проводя эксперименты с крошечными наночастицами из германия,
заключенными в оболочки из кремния, исследователи разработали
технологию, благодаря которой можно не только переводить частицы из
кристаллической в аморфную фазу, но и стабилизировать эти фазы в течение
сколь угодно долгого времени. «Фазовые переходы, т.е. переход из
кристаллического в аморфное состояние и наоборот, могут быть
спровоцированы импульсами электрического тока, длиной в несколько
наносекунд или светом лазера, и, так же, комбинацией двух последних
методов» – рассказывает Дэрил Крзэн (Daryl Chrzan), ученый-физик,
занимающий одновременно посты в обоих вышеупомянутых научных
учреждениях.
Конечно, до практической реализации новых типов памяти ученым еще
предстоит решить немало проблем, и, основной проблемой является проблема
надежности хранения данных. С этой точки зрения ученым еще предстоит
выяснить, какое количество фазовых переходов смогут выдержать
наночаст
...
Читать дальше »
