Кафедра
Инженерных дисциплин
 
Краснодонский факультет инженерии и менеджмента
Восточноукраинского национального университета
имени Владимира Даля
Чт, 03.10.2024, 12:30
Приветствую Вас Гость | RSS
Меню сайта

Форма входа

Категории раздела
Новости Факультета!!! [141]
Новости нашего региона [484]
Новости науки и техники [1134]
IT- новости [942]
Авто-новости [98]
Сообщения об интересных событиях [414]
Зарубежные новости [203]
Новости материаловедения [74]
Водород [28]
Сведения о влиянии водорода. Водородная энергетика.
Здоровье [126]
Новости образования [48]
Новости университета [43]
Новости Украины [70]
Разное [320]
Триботехника [1]
Компьютерные игры [43]
Программирование [9]
Подготовка к поступлению [162]

Поиск

Главная » 2010 » Июль » 17 » Проводник толщиной в несколько атомов
09:52
Проводник толщиной в несколько атомов

Проводник толщиной в несколько атомов

Figure 1: Structural model and schematic formation of an extended one-dimensional defect in graphene.
Figure 2: Scanning tunnelling microscopy images of graphene on Ni(111).

Проводник толщиной в несколько атомов.

Ключевые слова:  графен

Опубликовал(а):  Палии Наталия Алексеевна

06 апреля 2010

Российский ученый Иван Олейник и его американский соавтор Мэтиас Батзилл, работающие в Южнофлоридском университете в США, создали проводник толщиной в несколько атомов.

Как передает ИТАР-ТАСС, по оценке Национального научного фонда (ННФ) США, эта работа имеет огромное прикладное значение в дальнейшем развитии и миниатюризации современной электроники. Благодаря ей открывается перспектива сохранения в силе знаменитого «закона Мура» — эмпирического прогноза одного из основателей компании «Интел» Гордона Мура, согласно которому число транзисторов на кристалле удваивается каждые полтора-два года.

Как рассказал Олейник, он выполнял теоретическую, а Батзилл — экспериментальную часть совместной работы, в рамках которой на поверхности никелевого кристалла выращивался графен — двумерный кристалл атомов углерода толщиной в один атом. По свидетельству ННФ, многие специалисты считают, что графен может со временем «заменить кремний в качестве материала для изготовления практически всей электроники». Но для этого науке необходимо научиться модифицировать нужным образом свойства этого нового наноматериала.

Работа An extended defect in graphene as a metallic wire опубликована в журнале

Nature Nanotechnology doi:10.1038/nnano.2010.53 

http://www.nanometer.ru/2010/04/06/12705582642815_210703.html

Категория: Разное | Просмотров: 581 | Добавил: Professor | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Мы - Далевцы!

Календарь
«  Июль 2010  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031

Архив записей

Наши партнёры
  • Кафедра гуманитарных и социально-экономических дисциплин
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz

  • Статистика

    Онлайн всего: 1
    Гостей: 1
    Пользователей: 0

    Copyright MyCorp © 2024     Created by Alex Kalinin