Гейм и Новоселов избавили графеновые транзисторы от утечки электронов

Нобелевские лауреаты Константин Новоселов и Андрей Гейм, работающие в университете Манчестера, разработали метод нейтрализации высоких токов утечки в графеновых транзисторах, что позволит создавать высокоэффективные полупроводниковые микросхемы на основе графена, не беспокоясь о перегреве, говорится в статье, опубликованной в журнале Science.

Группа под руководством Новоселова смогла нейтрализовать основное препятствие на пути к графеновой микроэлектронике – **высокие токи утечки в транзисторах***, вставив пленки графена в «сэндвич» из тончайших листов нитрида бора или дисульфида молибдена.

Максимальная производительность обычных кремниевых интегральных схем и их графеновых «наследников» ограничивается так называемыми токами утечки – «несанкционированным» движением электронов через транзисторы в выключенном состоянии.

Утечка электронов генерирует тепловую энергию и вынуждает инженеров увеличивать напряжение тока, что еще раз усиливает нагрев микросхемы. Дальнейшая миниатюризация кремниевых транзисторов крайне затруднена из-за роста токов утечки.

Новоселов, Гейм и их коллеги использовали графен в качестве электрода в так называемом «туннельном транзисторе» – одной из разновидности обычных полевых транзисторов. В качестве подложки физики использовали классический диоксид кремния, к ... Читать дальше »