Представлена новая технология производства нанотранзисторов
Опубликовано ssu-filippov в 15 июля, 2011 - 00:39
В американской компании Applied Materials
научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы
получался 22-нанометровый чип с транзистором.
Нанотранзистор, сконструированный специалистами
Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего
слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего
атомы азота.
Рис. 1. Оборудование для производства нанотранзисторов нового поколения. (Фото Applied Materials).
Поскольку от диэлектрика зависит способность транзистора
контролировать прохождение электронов, а толщина этого слоя составляет
всего 2 нм, инженеры предложили поатомное распределение материала. В
целях защиты изделия от посторонних включений, которые содержатся в
воздухе, процедура проводится в вакуумной камере.
Такой подход, получивший название Centura Integrated Gate Stack, позволяет ускорить прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%.
Это в конечном счёте приводит к более быстрой работе микропроцессора
или графического чипа с таким транзистором, а также к эк
...
Читать дальше »
