Выявлены причины потери остроты памяти
Опубликовано ssu-filippov в 16 мая, 2011 - 04:00
Потеря остроты и специфичности памяти связана с уменьшением числа синапсов
в гиппокампе мозга. В результате память о событии остаётся, но путаются
причинно-следственные связи и конкретные обстоятельства произошедшего.
Каждый знает, как может подводить память: путаются даты, одних
знакомых называешь именами других, вещи обнаруживаются там, куда их,
казалось бы, никто не клал. Учёные из Института биомедицинских
исследований имени Фридриха Мишера в Базеле (Швейцария) выяснили, что
происходит в мозгу, когда память начинает путаться.
Наиболее ясно спутанность памяти проявляется при посттравматическом
синдроме, когда какие-то безопасные раздражители заставляют переживать
травматическое событие, страх и тревогу, связанные с ним. (Условно
говоря, когда человек, побывавший в «горячей точке», впадает в панику от
звуков общественного транспорта: ему кажется, что летит военный
самолёт). В ходе эксперимента у животных моделировали подобное
состояние. Лабораторные мыши, попадая в некоторое помещение, испытывали
ощутимый удар электрическим током. Через пару дней им предлагали войти в
ту же клетку, и животные, сделав шаг, впадали в ступор. При этом если
мыши помещались в клетку, которая была только похожа на «электрическую»,
они чувствовали себя спокойно. Но через пару недель в обеих клетках у
грызунов начинались приступы страха и ими овладевало оцепенение.
Животные переставали замечать различия между опасной и безопасной
клеткой.
Рис. 1. Нейрон гиппокампа (фото Robert McNeil, Baylor College of Medicine).
Для выяснения механизма потери специфичности памяти было решено сосредоточиться на гиппокампе — структуре, ответственной за эмоции и превращения памяти из кратковременной в долговременную. Учёные анализировали структуру синапсов в гиппокампе головного мозга у мышей при выработке у них посттравматического синдрома.
Когда у мышей только формировался страх перед клеткой с электрическим
током, в гиппокампе образовывалось множество синапсов-связей между так
называемыми гранулярными нейронами. Аксоны этих
нейронов несут на себе густую «корону» ответвлений, с помощью которых
устанавливаются контакты со множеством других клеток. Когда память у
мышей начинала «обобщаться», терять специфичность и появлялись признаки
посттравматического синдрома, количество синапсов между нейронами
гиппокампа уменьшалось.
Связь между количеством синапсов в гиппокампе и спутанностью памяти проверили экспериментально. У мышей подавляли синтез белка,
который помогал синапсообразованию, и такие животные начинали бояться
безопасной клетки уже через день. Когда этот белок вводили гранулярным
нейронам, к мышам возвращалась точность памяти — причём достаточно было
обеспечить этим белком лишь 20% нейронов.
Новые синапсы образуются в процессе обучения, и этот процесс лежит в основе такого свойства нервной системы, как пластичность.
В данном случае множество синапсов, образованных гранулярными
нейронами, не запоминает конкретные обстоятельства, когда мышь получила
удар током, а обеспечивает возможность отличить несколько безопасных
ситуаций от единичной опасной. Ведь со временем исчезала как раз не
память о шоке, а способность правильно реагировать. Когда мышам,
перестававшим отличать безопасное место от опасного, снова напоминали,
где их било током, синапсы в гиппокампе восстанавливались за несколько
часов, и симптомы посттравматического синдрома исчезали. Это выглядит
аналогом того, как лечат этот синдром у людей, помещая их в те же
обстоятельства, которые сопровождали шок, после чего пациенты
переставали бояться и паниковать без нужды.
Можно сказать, что учёным удалось на клеточно-биохимическом уровне
проиллюстрировать старую пословицу «Клин клином вышибают». Имея на руках
такие результаты, можно выяснить механизмы образования и поддержания
различных видов памяти (например, логической и эмоциональной), а также
получить возможность воздействовать на сложные психические расстройства,
характеризующиеся неполадками с памятью.
Исследования о механизмах формирования и поддержания памяти опубликованы в статье:
Sarah Ruediger, Claudia Vittori, Ewa Bednarek, Christel Genoud, Piergiorgio Strata, Benedetto Sacchetti & Pico Caroni Learning-related feedforward inhibitory connectivity growth required for memory precision. – Nature. – 2011. – doi:10.1038/nature09946; Published online 01 May 2011
Пожалуйста, оцените статью:
- Источник(и):
1. Nature News 2. compulenta.ru - http://www.nanonewsnet.ru/news/2011/vyyavleny-prichiny-poteri-ostroty-pamyati
|