Кафедра
Инженерных дисциплин
 
Краснодонский факультет инженерии и менеджмента
Восточноукраинского национального университета
имени Владимира Даля
Чт, 02.12.2021, 14:43
Приветствую Вас Гость | RSS
Меню сайта

Форма входа

Категории раздела
Новости Факультета!!! [141]
Новости нашего региона [484]
Новости науки и техники [1133]
IT- новости [894]
Авто-новости [98]
Сообщения об интересных событиях [414]
Зарубежные новости [203]
Новости материаловедения [74]
Водород [28]
Сведения о влиянии водорода. Водородная энергетика.
Здоровье [126]
Новости образования [48]
Новости университета [43]
Новости Украины [70]
Разное [319]
Триботехника [1]
Компьютерные игры [43]
Программирование [9]
Подготовка к поступлению [162]

Поиск

Главная » 2011 » Октябрь » 11 » "Стены" из графена позволят реализовать чипы с плотностью 100 триллионов транзисторов на квадратный сантиметр
07:41
"Стены" из графена позволят реализовать чипы с плотностью 100 триллионов транзисторов на квадратный сантиметр
"Стены" из графена позволят реализовать чипы с плотностью 100 триллионов транзисторов на квадратный сантиметр

"Стены" из графена позволят реализовать чипы с плотностью 100 триллионов транзисторов на квадратный сантиметр

Ученые из университета Райс (Rice University) и Политехнического университета Гонконга проведя ряд расчетов и компьютерное моделирование обнаружили, что тонкие полосы графена, пленки из углерода, толщиной в один атом, специальным образом расположенные на подложке из алмаза и никеля, могут стать «строительными кирпичиками» сверхвысокоплотных электронных и спинтронных устройств. Реализация такой технологии может означать, что плотность упаковки элементов электронных чипов может быть увеличена до заоблачных значений, а размеры этих элементом могут быть уменьшены до размеров менее одного нанометра.

В вышеупомянутых моделированиях и расчетах, проведенных физиком-теоретиком Борисом Якобсоном (Boris Yakobson) из университета Райс и доцентом Фенг Дингом (Feng Ding) из Гонконга, были использованы специальные подложки из монокристаллического алмаза, на поверхность которых в некоторых местах был нанесен никель. На поверхность этих подложек химическим путем были встроены края тончайших полос графена. Поскольку область контакта является очень узкой, то графеновая лента полностью сохраняет все свои уникальные физические, электрические и магнитные свойства.

Поскольку графен является необычайно тонким и прочным материалом ученые рассчитали теоретический предел размещения электронных компонентов на поверхности кристалла.

Расчетное значение составило 100 триллионов графеновых полевых транзисторов на один квадратный сантиметр площади кристалла.

Такой потенциал, в случае практической реализации этой технологии, может обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще не на одно десятилетие вперед.

Графеновая лента, шириной около одного нанометра, является достаточно гибкой, но здесь начинают действовать некоторые законы физики, которые в данном случае «стоят» на стороне ученых. Переход от кристаллической решетки алмазной подложки к графеновой ленте формирует в точке перехода сильную молекулярную связь, которая старается поддержать графен под углом в 90 градусов к плоскости подложки. А для удержания всей графеновой ленты в строго вертикальном состоянии требуется совсем небольшой электрический потенциал. В точках соединения графена и никеля, графеновая лента располагается под углом в 30 градусов, что позволяет реализовывать не только прямую, вертикальную, но и изогнутую, дугообразную, форму графеновой ленты.

20111004_3_2.jpg Рис. 1. Графическое пояснение к изложению методики эксперимента.

Стоящие вертикально графеновые ленты могут располагаться на расстоянии 0.7 нанометра друг от друга, сохраняя при этом свои независимые электронные свойства. Помимо алмаза, такие структуры из графена могут быть выращены на кремнии, двуокиси кремния, оксиде алюминия или карбиде кремния.

В исследованиях фигурировали две разновидности формы графеновых лент, зигзагообразная и арочная формы, называемые так из-за вида формирования краев ленты. Форма графеновой ленты определяет ее электрические свойства, в случае арочной формы эта лента проявляет ярко выраженные полупроводниковые качества, а ширина запрещенной зоны полупроводника напрямую зависит от ширины самой ленты, что может быть использовано для изготовления графеновых транзисторов.

Зигзагообразные наноленты являются магнетиками, электроны атомов, находящихся на противоположных краях ленты, вращаются в противоположные стороны и их вращением можно управлять с помощью электрического тока, что делает возможным изготовление на их основе спинтронных элементов.

И в обоих случаях некоторые свойства индивидуальных графеновых лент могут быть настроены с помощью их высоты.

Борис Якобсон считает, что практическая реализация разработанной ими технологии в настоящее время невероятно трудна и вряд ли реализуема на практике на современном уровне развития технологий. Но эту идею надо разрабатывать и далее, ведь ее потенциал и выгода от ее реализации являются поистине потрясающими.


Источник(и):

1. kurzweilai.net

2. DailyTechInfo

http://www.nanonewsnet.ru/news/2011/steny-iz-grafena-pozvolyat-realizovat-chipy-s-plotnostyu-100-trillionov-tranzistorov-na-kv
Категория: Новости науки и техники | Просмотров: 443 | Добавил: Professor | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 1
0
1 votetogepr   [Материал]
Всем фанатам скайрима и приколов даю сайт [url=http://fus-ro-dah.ru/]skyrim саундтрек
[/url]

Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Мы - Далевцы!

Календарь
«  Октябрь 2011  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31

Архив записей

Наши партнёры
  • Кафедра гуманитарных и социально-экономических дисциплин
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz

  • Статистика

    Онлайн всего: 1
    Гостей: 1
    Пользователей: 0

    Copyright MyCorp © 2021     Created by Alex Kalinin