Германиевые нанопровода как перспективный материал для создания транзисторов нового поколения
Опубликовано ssu-filippov в 17 сентября, 2010 - 15:51
Ученым из Школы техники и прикладных наук
им. Генри Сэмюэли при Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе
(UCLA), Университета Пёрдью, штат Индиана, США и компании IBM удалось
вырастить полупроводящие кремниево-германиевые нанопроволоки, которые в
перспективе можно использовать для создания транзисторов нового
поколения.
Группа получила нанопроволоки из слоев кремния и германия – без
каких-либо дефектов и с очень четкой атомарной границей между слоями
разных веществ, порядка одного атома. Это значительно улучшило
электронные свойства нанопроволок.
Кремниево-германиевые наноструктуры найдут также применение как
термоэлектрические материалы, способные преобразовать тепло в
электричество.
По материалам журнала «Российские нанотехнологии» № 1–2 2010 год:
- Источник(и):
1.nanojournal.ru
| 
