Синдром выгорания косит офисных работников

Хронический упадок сил, отсутствие мотивации, ненависть к себе и окружающим. Если это о вас, знайте: вы стали частью поколения, страдающего от "синдрома выгорания"

У 30-летнего киевского айтишника Антона Кравченко время есть только на работу. Каждый день он встаёт в 7 утра, выпивает чашку кофе, выкуривает сигарету и отправляется в офис. Когда закончится его рабочий день, Антон никогда заранее предугадать не может, поэтому с некоторых пор он просто перестал строить планы на вечер. "Я иногда вообще начинаю путаться – живу я для того, чтобы работать, или работаю, чтобы жить, – вздыхает он. – Кажется, всё-таки первый вариант.

Такое ощущение, будто ничем кроме работы я не занимаюсь, только сплю и ем. Очень часто к выходным так выматываюсь, что силы остаются только на то, чтобы полежать на диване, тупо уставившись в телевизор". В таком бешеном ритме программист живёт уже третий год. "В компании, где я работаю, – весь соцпакет. Даже есть абонемент в бассейн и тренажёрный зал. Но вся соль в том, что у меня тупо нет времени на походы в зал и бассейн. И я понятия не имею, что мне со всем этим делать", – рассказывает Антон.

Стресс зачастую путают с "синдромом выгорания", считает известная в США эксперт в области психологии, автор бестселлеров, посвящённых депрессии и хроническому переутомлению Джоан Борисенко. Один из шести американцев хотя бы раз в своей жизни слышит диагноз "стресс" от своего ... Читать дальше »

Предложен новый способ изготовления транзисторов с трёхмерной структурой

Исследователи из Университета Пердью и Гарвардского университета (оба — США) ищут новые материалы для изготовления транзисторов с трёхмерной структурой, призванные прийти на смену традиционному кремнию.

В 2012 году корпорация Intel начнёт производство первых в мире процессоров, использующих технологию Tri-Gate, которая предполагает переход от планарных структур транзисторов к объёмным. 22-нанометровые микрочипы Ivy Bridge обеспечат 37-процентный прирост быстродействия по сравнению с современными 32-нанометровыми изделиями.

Кроме того, уже ведутся исследования по разработке и внедрению 14-нанометровой технологии производства. Однако дальнейшая миниатюризация, считают американские учёные, будет сопряжена с рядом трудностей, отчасти вызванных свойственными кремнию ограничениями на размеры элементов.

Рис. 1. Схематичное изображение транзистора с планарной (слева) и трёхмерной структурой (иллюстрация Intel).

Вместо этого материала предлагается использовать полупроводники группы III-V (соединения, в которые входят элементы из подгрупп бора и азота). Речь, в частности, идёт об арсениде индия-галлия InGaAs.

По мнению исследоват ... Читать дальше »