Кафедра
Инженерных дисциплин
 
Краснодонский факультет инженерии и менеджмента
Восточноукраинского национального университета
имени Владимира Даля
Вс, 05.12.2021, 19:25
Приветствую Вас Гость | RSS
Меню сайта

Форма входа

Категории раздела
Новости Факультета!!! [141]
Новости нашего региона [484]
Новости науки и техники [1133]
IT- новости [894]
Авто-новости [98]
Сообщения об интересных событиях [414]
Зарубежные новости [203]
Новости материаловедения [74]
Водород [28]
Сведения о влиянии водорода. Водородная энергетика.
Здоровье [126]
Новости образования [48]
Новости университета [43]
Новости Украины [70]
Разное [319]
Триботехника [1]
Компьютерные игры [43]
Программирование [9]
Подготовка к поступлению [162]

Поиск

Главная » 2011 » Октябрь » 27 » О фототранзисторе на основе пленки из нанокристаллического PbS
05:51
О фототранзисторе на основе пленки из нанокристаллического PbS

О фототранзисторе на основе пленки из нанокристаллического PbS

Сульфид свинца сегодня широко применяется в технике в объемном состоянии. Группа ученых из американской национальной Лаборатории в Лос Аламос отличилась, создав фототранзистор на основе пленки из нанокристаллического PbS и исследовав его проводимость в зависимости от напряжения на затворе и освещения. Для объяснения наблюдаемого они воспользовались зонной теорией полупроводника.

Сульфид свинца на сегодняшний день – широко применяемый в технике полупроводник. Наиболее широко он используется в производстве фотоэлементов.

ris1.png Рис. 1. Схема полученного фототранзистора.

Группа ученых из американской национальной Лаборатории в Лос Аламос получила фототранзистор на основе пленки из нанокристаллического PbS (рис. 1). Управление проводимостью канала в таком устройстве может осуществляться как приложением управляющего напряжения к затворному электроду (то есть за счет полевого эффекта), так и освещением поверхности (то есть за счет генерации светом неравновесных носителей заряда). Нанокристалличность, по-видимому, требовалась для увеличения ширины запрещенной зоны по сравнению с объемным сульфидом свинца. Размер нанокристаллов составлял около 3,3 нм, что соответствовало ширине запрещенной зоны около 1,3 эВ. Это, безусловно, влияло на спектр поглощения PbS.

ris2.png Рис. 2. Спектр поглощения нанокристаллического PbS.

Хочу сразу сказать, что вероятность поглощения фотона резко увеличивается с ростом его энергии (рис. 2), следовательно, скорость генерации носителей заряда при этом тоже возрастает, и фотопроводимость увеличивается. Это позволяет в исследованиях фотопроводимости оперировать не интенсивностью света, а энергией фотонов монохроматического излучения.

ris3.png Рис. 3. Зависимость тока через транзистор от напряжения на затворе и энергии фотонов облучающего света.

Исследователи изучили двухпараметрическую зависимость тока через транзистор от управляющего напряжения и энергии фотонов света (рис. 3). (Для темновой проводимости истинной является только ветвь, соответствующая отрицательным напряжениям, а положительная ветвь – артефакт измерений, в то время как в действительности ток очень близок к нулю). Из требуемой отрицательности прилагаемых затворных напряжений можно сделать вывод о дырочном характере проводимости. А из различной подвижности носителей заряда при световой и темновой проводимости – об обеспечении их разными энергетическими зонами.

ris4.png Рис. 4. Зонная диаграмма нанокристаллического PbS.

Зонная диаграмма сульфида свинца (рис. 4) содержит заполненную валентную зону, пустую зону проводимости и промежуточный между ними почти полностью занятый (а следовательно, почти не проводящий) локальный уровень. Приложение электрического поля снижает уровень Ферми, повышая концентрацию дырок на локальном энергетическом уровне и обеспечивая за счет него темновую проводимость. Освещение же выбивает электроны из валентной зоны, создавая там дырки и делая ее проводящей. Так называемая зона проводимости в проводимости практически не участвует в обеспечении проводимости транзистора.

ris5.png Рис. 5. Схема осуществления темновой (a) и световой (b) проводимости нанокристаллического сульфида свинца.

Подобные описанному устройства уже сейчас находят применение на практике (в составе фотоэлементов и оптопар), так что подробный анализ работы конкретного их примера может оказаться не только занимательным, но и полезным.


Источник(и):

1. nanometer.ru

http://www.nanonewsnet.ru/news/2011/o-fototranzistore-na-osnove-plenki-iz-nanokristallicheskogo-pbs
Категория: Новости науки и техники | Просмотров: 371 | Добавил: Professor | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Мы - Далевцы!

Календарь
«  Октябрь 2011  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31

Архив записей

Наши партнёры
  • Кафедра гуманитарных и социально-экономических дисциплин
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz

  • Статистика

    Онлайн всего: 1
    Гостей: 1
    Пользователей: 0

    Copyright MyCorp © 2021     Created by Alex Kalinin