Явление дополнительного электрического поля в контактах металл - полупроводник

На физическом факультете Бакинского Государственного Университета в результате многолетних научно-исследовательских работ в области физики конденсированных сред, проведенных под научным руководством проф. Р.К.Мамедова, было установлено [1] неизвестное ранее физическое явление возникновения дополнительного электрического поля (ДЭП) в реальных контактах металл – полупроводник (КМП).

Эта структура является основным физическим элементом практически всех видов дискретных полупроводниковых приборов и компонентов интегральных микро- и наносхем. В последние годы явление ДЭП стало важным объектом экспериментальных исследований с помощью Атомно – Силовой Микроскопии в таких научных центрах как Томский Государственный Университет и Научно – Исследовательский Институт Полупроводниковых приборов Российской Федерации.

Сущность явления ДЭП заключается в следующем. Согласно теоретической модели Шоттки [2], если определенная поверхность металла с работой выхода Ф_М непосредственно контактируется с поверхностью полупроводника n – типа с работой выхода Ф_S и Ф_М ~ Ф_S, то КМП обладает омическими свойствами и схематически изображается как на рисунке 1а. В действительности, при непосредственном контакте металла с полупроводником, работы выхода (~ 4–5 эВ) их свободных поверхностей, примыкающих контактной поверхности остаются неизменными, а высота потенциального барьера контактной поверхности становиться порядка 1 эВ. Возн ... Читать дальше »